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こんにちは。

ご報告が遅くなってしまいましたが当社は昨年12月に行われましたセミコン・ジャパン2016へ出展いたしました。

 

多孔質セラミックを使用した標準的なポーラスチャックをはじめ

当社オリジナル製品である発光する真空吸着テーブルの「面発光ポーラスチャック」、ヒーターを内蔵した「HoVaC(ホットバキュームチャック)」につきましては大勢のお客様にご興味頂きました。

 

また今回は新しい試みとして展示ブースを拡大したこととポーラスチャックの使用例の動画を流してご紹介致しました。

その効果か(?)前回と比較して約2倍の数のお客様がブースに来場頂きまして心より感謝しております。

一人でも多くの方の薄物ワークの固定でのお悩みを解決できるようご協力できれば幸いとなります。

 

セミコン・ジャパン2017への出展も決定しており

技術部門では新製品の出展に向けて準備を進めておりますので引き続き次回のご来場もお待ちしております。

 

 

 

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当社にはヒーター内蔵の真空吸着テーブルであるHoVaC(ホットバキュームチャック)という製品が御座います。

 

標準でシリコンラバーヒーターを採用しており最大250℃まで加熱が可能となりますが

その熱上昇についてのご紹介をさせて頂きます。

 

条件として12inchウェハサイズでヒーター定格が200V 900Wの製品にて

温調機の設定温度と時間経過によるポーラスチャック表面温度の関係が以下のグラフとなります。


無題1.jpg

 

ポーラスチャック表面を200℃まで加熱し温度を安定させるためには加熱開始から約2時間要します。

こちらは製品サイズによって異なることと、ヒーターの能力を上げる事で短縮も可能となりますが

急加熱を行うとセラミックの破損につながる恐れが有る為、本データレベルの加熱カーブを推奨しております。

 

近年装置への搭載や実験用としてHoVaC単体でのご使用に納入実績が増えております。

ウェハやフィルムのように薄いワークの固定をしつつ加熱を行う工程にてご相談が有る方は

是非お問い合わせフォームよりお問い合わせ下さい。

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最近、吸着ワークへの帯電防止の為ポーラス素材の体積抵抗率についてのお問合わせが増えております。

 

当社のポーラスはアルミナセラミックを標準としている為、体積抵抗率としては1013~1014Ω・cmとなり絶縁体となります。

一部ステンレスやカーボン素材のポーラスも取り扱っておりますが仕様によって採用出来ないケースがある素材となり

帯電除去の性能について中々御要望にお答えすることが出来ませんでした。

 

そこで現在ご提案を始めている素材がSiC(炭化ケイ素)のポーラスとなります。

ポーラス体としての体積抵抗率は約107Ω・cmとなり電気的特性としては「帯電防止」に位置づけられる数値となります。

体積抵抗率と電気特性の大まかな関係性は以下の表を参照下さい。

数値が小さくなるほど電気を通しやすくなります。

 

無題.jpg

 

またアルミナポーラスと比較して硬い素材となる為 

例えばレーザー加工を行う用途でレーザー光がポーラスに当ってしまった際のダメージがアルミナポーラスより小さいデータも御座います。

こちらはお客様の条件によって異なるため事前に端材にて評価が必要となります。

 

ご興味のある方は是非お問い合わせフォームよりお問い合わせ下さい。

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